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 |  Assunto: IBM desenvolve memória 100 vezes mais rápida do que a Flash  Qui Jun 30, 2011 11:56 pm | |
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Faz tempo que cientistas vêm procurando uma memória não volátil e com performance superior à da memória Flash. Agora, ao que tudo indica, a grande candidata ao cargo será a Phase-Change Memory (PCM), desenvolvida nos laboratórios da IBM.
De acordo com o press release divulgado pela empresa, a nova memória é capaz de ler e escrever dados a uma velocidade 100 vezes maior do que a Flash, além de possibilitar uma capacidade mais alta de armazenamento de dados e de não perder informações quando o computador é desligado.
Como se não bastasse, a PCM também tem uma vida útil mais alta, permitindo até 100 milhões de ciclos de escrita. Chega a ser impressionante, ainda mais se levarmos em conta que a memória Flash aguenta de 3 a 30 mil desses ciclos.
Os avanços foram obtidos graças à solução de alguns problemas na arquitetura das memórias atuais, como a utilização de uma liga metálica capaz de alterar o seu estado físico, passando de um estado cristalino de baixa resistência para uma fase amorfa de alta resistência, de acordo com a voltagem aplicada sobre ela. Os pesquisadores também conseguiram solucionar os problemas que essa troca de estados pode causar, diminuído assim a possibilidade de obter erros de leitura. | |
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